Транзистор N-MOSFET PanJit PJT7800-R1, 20 В, 1 А, SOT363, 150 шт (PJT7800_R1_00001)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM076697
Транзистор N-MOSFET PanJit PJT7800-R1, 20 В, 1 А, SOT363, 150 шт (PJT7800_R1_00001)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 150 транзисторів PanJit PJT7800-R1 типу N-MOSFET у корпусі SOT363. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 20 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стоку: 1 А
- Потужність розсіювання: 0,35 Вт
- Корпус: SOT363, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стоку 1 А. Потужність розсіювання становить 0,35 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT363 із типом монтажу SMD.
Додаткові характеристики та імпульсний струм
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) становить 4 А, а заряд затвора — 1,6 нКл. У пакуванні міститься 150 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Panjit |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴