Транзистор N/P-MOSFET PanJit PJT7600-R1, 20 В, 1 А, SOT363, набір 60 шт (PJT7600_R1_00001)

Набір із 60 транзисторів PanJit PJT7600-R1 у корпусі SOT363. Це комплементарна пара N-канального та P-канального MOSFET-транзисторів з напругою 20 В та струмом до 1 А.

• Набір із 60 транзисторів у корпусі SOT363
• Комплементарна пара N/P-MOSFET з багатим каналом
• Максимальна напруга «дрен-джерело»: 20 В / -20 В
• Струм дрену: 1 А
• Опір у відкритому стані: 400 мОм / 600 мОм
• Потужність розсіювання: 0,35 Вт

Тип транзистора

Транзистор є уніполярним пристроєм з багатим каналом. Тип транзистора: N/P-MOSFET. Максимальна напруга «дрен-джерело» становить 20 В для N-каналу та -20 В для P-каналу.

Електричні параметри

Струм дрену (Id) для N-каналу становить 1 А. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 400 мОм для N-каналу та 600 мОм для P-каналу. Потужність розсіювання обмежена 0,35 Вт. Напруга «затвор-джерело» (Vgs) — ±8 В.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані у корпусі SOT363 для поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора (Qg) становить 1,6 нКл для N-каналу та 2,2 нКл для P-каналу.