Транзистор N-MOSFET PanJit PJMP120N60EC, 600В, 30А, TO220AB (PJMP120N60EC_T0_00001) — набір 10 шт.
3 540 ₴
- В наявності
- Код: TM020134
Транзистор N-MOSFET PanJit PJMP120N60EC, 600В, 30А, TO220AB (PJMP120N60EC_T0_00001) — набір 10 шт.В наявності
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор PanJit PJMP120N60EC — це N-MOSFET з каналом збагачення, що працює з напругою до 600 В. Компонент у корпусі TO220AB із монтажем THT забезпечує струм стоку 30 А та розсіювання потужності 235 Вт.
- Напруга стік-витік до 600 В
- Струм стоку 30 А (імпульсний до 69 А)
- Розсіювана потужність 235 Вт
- Опір у відкритому стані 0,12 Ом
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 600 В. Номінальний струм стоку становить 30 А, а імпульсний струм може досягати 69 А. Напруга затвор-витік становить ±30 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 235 Вт. Опір у відкритому стані становить 0,12 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220AB із монтажем THT. Заряд затвора становить 51 нКл.
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Panjit |
| Максимальна потужність розсіювання | 235 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 540 ₴