Транзистор N-MOSFET PanJit PJMF390N65EC, 650В, 10А, ITO220AB, набір 20 шт (PJMF390N65EC_T0_00001)

Транзистор N-MOSFET PanJit PJMF390N65EC — це уніполярний напівпровідниковий прилад з збагаченим каналом, розрахований на напругу 650 В та струм 10 А. Товар поставляється набором із 20 штук у корпусі ITO220AB для монтажу в отвори (THT).

• Напруга стік-витік 650 В
• Струм стоку 10 А, імпульсний 22 А
• Потужність розсіювання 29,5 Вт
• Опір у відкритому стані 390 мОм
• Корпус ITO220AB, монтаж THT
• Набір із 20 штук

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою стік-витік до 650 В та постійним струмом стоку 10 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах високої потужності. Імпульсний струм стоку може досягати 22 А, що забезпечує надійність при короткочасних пікових навантаженнях.

Ефективність та тепловий режим

Потужність розсіювання становить 29,5 Вт, що вимагає відповідного відведення тепла при експлуатації. Опір у відкритому стані дорівнює 390 мОм, що знижує втрати енергії та нагрівання при роботі. Заряд затвора 19 нКл сприяє швидкому перемиканню транзистора.

Надійність затвора

Максимальна напруга затвор-витік становить ±30 В. Ця характеристика визначає допустимі межі керуючого сигналу для безпечної роботи пристрою.

Керування затвором та зарядом затвора (Qg) 19 нКл забезпечує швидке перемикання транзистора, що важливо для зменшення втрат на перемикання у силових схемах. Максимальна напруга затвор-витік ±30 В визначає допустимі межі керуючого сигналу для безпечної роботи пристрою. Ці параметри дозволяють інтегрувати транзистор у схеми з високочастотним керуванням, дотримуючись вказаних електричних меж. Низький заряд затвора сприяє ефективній роботі драйверів затвора без надмірного навантаження на керуючі ланцюги. Така комбінація характеристик робить компонент зручним для розробки силових ключів із вимогами до швидкодії та надійності керування. ## Комплектація

У комплекті 20 транзисторів PanJit PJMF390N65EC. Така кількість зручна для серійного виробництва або ремонту обладнання.