Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N06A_L2_00001, 60В, 25А, TO252AA (30 шт.)
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM036586
Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N06A_L2_00001, 60В, 25А, TO252AA (30 шт.)В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N06A_L2_00001 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO252AA для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Постійний струм стіка: 25 А (імпульсний до 100 А)
- Розсіювана потужність: 40 Вт
- Опір у стані провідності: 40 мОм
- Корпус: TO252AA, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 25 А. У імпульсному режимі прилад витримує піковий струм до 100 А.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 40 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 40 мОм.
Керування затвором
Напруга затвор-витік може змінюватися в межах ±20 В. Сумарний заряд затвора дорівнює 20 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Panjit |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252AA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 320 ₴