Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N03-L2, 30V, 25A, TO252AA (70 шт.) (PJD25N03_L2_00001)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM036585
Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N03-L2, 30V, 25A, TO252AA (70 шт.) (PJD25N03_L2_00001)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N03-L2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 70 одиниць у корпусі TO252AA для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 25 А (постійний), 100 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 25 Вт
- Корпус: TO252AA, монтаж SMD
- Комплектація: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та постійним струмом дрена 25 А. Імпульсний струм дрена може досягати 100 А. Опір у стані провідності становить 33 мОм.
Потужність та керування
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 25 Вт. Напруга на затворі-джерелі обмежена ±20 В. Загальний заряд затвора становить 4,3 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Panjit |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | TO252AA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴