Транзистор N-MOSFET Nexperia PHB32N06LT, 60В, 24А, SMD D2PAK (PHB32N06LT,118) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia PHB32N06LT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 60 В та постійний струм 24 А, що робить її придатною для силових застосувань із середнім навантаженням.

• Струм стоку 24 А та імпульсний струм 136 А
• Напруга стік-витік 60 В
• Опір у стані провідності 43 мОм
• Розсіювана потужність 97 Вт
• Корпус D2PAK (SOT404), монтаж SMD
• Набір із 20 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Компонент витримує постійний струм стоку 24 А, а в імпульсному режимі цей показник зростає до 136 А. Така здатність дозволяє використовувати транзистор у схемах із різкими піками споживання.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 97 Вт, що вимагає належного відведення тепла від корпусу. Низький опір у стані провідності 43 мОм зменшує втрати енергії на нагрівання компонента.

Зручний монтаж SMD

Транзистор виконаний у корпусі D2PAK (SOT404) із технологією монтажу SMD. Це спрощує автоматизоване виробництво плат. Напруга затвор-витік становить ±15 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу для надійної роботи компонента.

Комплект для серійного виробництва

Товар постачається набором із 20 штук.