Транзистор N-MOSFET Nexperia PHB20N06T,118, 55В, 14,3А, D2PAK (50 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM076661
Транзистор N-MOSFET Nexperia PHB20N06T,118, 55В, 14,3А, D2PAK (50 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PHB20N06T,118 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрена-джерела 55 В та постійний струм 14,3 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 55 В
- Постійний струм дрена: 14,3 А, імпульсний: 81 А
- Розсіювана потужність: 62 Вт
- Опір у стані провідності: 0,15 Ом
- Корпус: D2PAK (SOT404), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну розсіювану потужність 62 Вт та імпульсний струм дрена 81 А. Опір у стані провідності становить 0,15 Ом. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а заряд затвора — 11 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK (SOT404) із типом монтажу SMD.
Комплектація
Товар постачається набором із 50 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 62 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 14.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | D2PAK, SOT404 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴