Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, RF, 40V, 5A, 73W, PowerSO10RF (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E призначений для радіочастотних (RF) застосувань. Це уніполярний компонент з напругою дрена 40 В та струмом 5 А, що забезпечує потужність розсіювання 73 Вт у корпусі PowerSO10RF.

• Тип: N-MOSFET, RF, уніполярний
• Напруга дрена: 40 В, струм: 5 А
• Потужність розсіювання: 73 Вт
• Вихідна потужність: 15 Вт (15000 мВт)
• Робоча частота: до 500 МГц
• ККД: 55 %, посилення: 14 дБ
• Корпус: PowerSO10RF, монтаж SMD
• Комплект: 2 шт.

Висока ефективність у RF-схемах

Компонент працює на частоті до 500 МГц, що робить його придатним для підсилювальних каскадів у радіопередавачах. Коефіцієнт корисної дії (ККД) становить 55 %, що дозволяє ефективно перетворювати енергію та зменшувати нагрівання. Посилення сигналу досягає 14 дБ, забезпечуючи стабільний рівень вихідної потужності.

Потужність та тепловий режим

Вихідна потужність транзистора становить 15 Вт (15000 мВт), що підходить для середньопотужних передавачів. Максимальна потужність розсіювання 73 Вт вимагає якісного відведення тепла, але гарантує стабільну роботу під навантаженням. Висока потужність розсіювання дозволяє компоненту витримувати значні струмові навантаження без перегріву.

Електричні параметри та канал

Канал транзистора є збагачуваним, що забезпечує надійне вимикання при відсутності напруги на затворі. Напруга затвор-витік становить ±20 В, що дозволяє використовувати стандартні драйвери затвора без додаткових обмежень. Ці характеристики визначають стабільність роботи компонента в схемах керування.