Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P8F50HP2-5600, 500В, 8А, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (набір 30 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM076559
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P8F50HP2-5600, 500В, 8А, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (набір 30 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P8F50HP2-5600 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, виконаний за технологією Hi-PotMOS2. Товар постачається набором із 30 штук у корпусі FTO-220AG (SC91) для монтажу на плату (THT).
- Набір із 30 транзисторів N-MOSFET
- Напруга дрена-джерела 500 В
- Струм дрена 8 А (32 А в імпульсі)
- Технологія Hi-PotMOS2
- Корпус FTO-220AG (SC91) для монтажу THT
- Розсіювана потужність 65 Вт
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм дрена 8 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає 32 А. Опір у стані провідності становить 1 Ом, а розсіювана потужність — 65 Вт.
Керування та технологія
Прилад використовує технологію Hi-PotMOS2. Напруга на затворі-джерелі обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 15 нКл.
Комплектація та монтаж
У комплекті йде 30 транзисторів. Корпус FTO-220AG (SC91) призначений для вивідного монтажу (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 65 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | FTO-220AG (SC91) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | Hi-PotMOS2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴