Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071, 70В, 80А, корпус TO263AB (набір 20 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM076557
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071, 70В, 80А, корпус TO263AB (набір 20 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на струм 80 А та напругу 70 В. Товар поставляється комплектом із 20 штук у корпусі FG (TO263AB) для монтажу SMD.
- Струм стоку 80 А та імпульсний струм 320 А
- Напруга стік-витік 70 В
- Опір у відкритому стані 6,4 мОм
- Розсіювана потужність 128 Вт
- Корпус FG (TO263AB) для монтажу SMD
- Комплект із 20 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальний струм стоку 80 А та імпульсний струм 320 А. Напруга стік-витік становить 70 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення. Опір у відкритому стані дорівнює 6,4 мОм.
Теплові характеристики та технологія
Прилад виготовлений за технологією EETMOS2 і має розсіювану потужність 128 Вт. Заряд затвора становить 67 нКл. Символ виробника: P80FG7R5EN-5071. Корпус FG (TO263AB) призначений для монтажу методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 128 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 70 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | FG (TO263AB) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | EETMOS2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴