Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P70F5EN-5600, 50В, 70А, 53Вт (набір 20 шт.)

Набір із 20 потужних N-MOSFET транзисторів SHINDENGEN P70F5EN-5600. Компоненти виготовлені за технологією EETMOS2 у корпусі FTO-220AG (SC91) для монтажу THT. Транзистори розраховані на напругу 50 В та постійний струм 70 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.

• Набір із 20 транзисторів SHINDENGEN P70F5EN-5600
• Струм стоку 70 А, імпульсний струм 280 А
• Напруга стік-виток 50 В
• Розсіювана потужність 53 Вт
• Опір у стані провідності 3,2 мОм
• Корпус FTO-220AG (SC91), монтаж THT

Висока струмова навантаженість

Транзистор витримує постійний струм стоку 70 А та імпульсний струм до 280 А. Така характеристика дозволяє використовувати компонент у ланцюгах із високими піковими навантаженнями, забезпечуючи стабільну роботу пристрою під час різких сплесків струму.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 53 Вт. Це дозволяє транзистору ефективно відводити тепло під час роботи, зменшуючи ризик перегріву та підвищуючи надійність електронного модуля без необхідності складних систем охолодження для помірних навантажень.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 3,2 мОм. Низьке значення опору мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час пропускання струму, що є критичним для підвищення ККД силових перетворювачів та імпульсних блоків живлення.

Зручний монтаж та комплектація

Компоненти мають тип монтажу THT (скрізний монтаж) та корпус FTO-220AG (SC91). Набір із 20 штук зручний для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно замінити або встановити кілька однакових транзисторів одночасно.

Універсальність застосування

Транзистор є уніполярним з каналом збагачення (enhancement mode). Напруга затвор-виток становить ±20 В, що відповідає стандартам керування для більшості сучасних драйверів затворів. Заряд затвора 0,1 мкКл.