
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P60B4EL-5071, 40V, 60A, SMD (набір 40 шт.)
2 210 ₴
- В наявності
- Код: TM036519
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P60B4EL-5071 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією EETMOS2. Розрахований на напругу до 40 В та струм до 60 А. Поставляється набором із 40 штук у корпусі FB (TO252AA) для монтажу SMD.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 40 В
- Постійний струм стоку: 60 А, імпульсний: 240 А
- Опір у відкритому стані: 4,2 мОм
- Корпус: FB (TO252AA), монтаж SMD
- Технологія: EETMOS2
- Комплектація: набір із 40 штук
Електричні параметри та технологія
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 40 В та постійний струм стоку 60 А. Імпульсний струм становить 240 А. Напруга на затворі становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 4,2 мОм. Компонент виготовлений за технологією EETMOS2.
Корпус, монтаж та комплектація
Компонент виконаний у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD). Розсіювана потужність становить 62,5 Вт, а заряд затвора — 57 нКл. Товар поставляється набором із 40 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 62.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | FB (TO252AA) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | EETMOS2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 210 ₴
