
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P5F50HP2-5600, 500В, 5А, корпус FTO-220AG (SC91), 30 шт.
2 670 ₴
- В наявності
- Код: TM020064
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P5F50HP2-5600 — це уніполярний компонент із технологією Hi-PotMOS2, призначений для роботи в ланцюгах із напругою до 500 В. Комплект із 30 штук забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 5 А (імпульсний до 20 А)
- Потужність розсіювання: 52,5 Вт
- Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
- Технологія: Hi-PotMOS2
- Комплект: 30 штук
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм дрена 5 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових схемах із високими вимогами до ізоляції та навантаження. Імпульсний струм дрена може досягати 20 А, що важливо для пускових режимів.
Ефективне розсіювання тепла
Модель має корпус FTO-220AG (SC91) із монтажем THT, що забезпечує надійний контакт із друкованою платою. Потужність розсіювання становить 52,5 Вт, що дозволяє відводити тепло без складних систем охолодження. Такий показник робить транзистор придатним для стабільної роботи під навантаженням.
Електричні параметри та надійність
Транзистор має опір у стані провідності 1,6 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи. Максимальна напруга на затворі становить ±30 В, що визначає вимоги до керуючих сигналів. Заряд затвора 10,5 нКл забезпечує швидке перемикання в імпульсних схемах.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 52.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | FTO-220AG (SC91) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | Hi-PotMOS2 |
- Ціна: 2 670 ₴
