Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P4F60HP2-5600, 600V, 4A, Hi-PotMOS2 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P4F60HP2-5600 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, розроблений за технологією Hi-PotMOS2. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі FTO-220AG (SC91) для монтажу на плату (THT).

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Постійний струм дрена: 4 А
• Імпульсний струм дрена: 16 А
• Розсіювана потужність: 62,5 Вт
• Опір у стані провідності: 1,8 Ом
• Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
• Комплектація: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В та постійним струмом дрена 4 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 16 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Максимальна розсіювана потужність становить 62,5 Вт, а опір у стані провідності — 1,8 Ом.

Технологія та керування

Використання технології Hi-PotMOS2 забезпечує стабільну роботу при високих напругах. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В, а заряд затвора становить 12,5 нКл.

Монтаж та комплектація

Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі FTO-220AG (SC91). У пакуванні міститься 30 транзисторів.