Транзистор N-MOSFET Shindengen P40B10SN-5071, 100В, 40А, корпус TO252AA (набір 30 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM036494
Транзистор N-MOSFET Shindengen P40B10SN-5071, 100В, 40А, корпус TO252AA (набір 30 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Shindengen P40B10SN-5071 — це польовий транзистор типу N-MOSFET з каналом збагачення. Модель виконана у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі FB (TO252AA) та постачається набором із 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка (постійний та імпульсний): 40 А
- Опір у стані провідності: 16,8 мОм
- Розсіювана потужність: 62,5 Вт
- Корпус: FB (TO252AA), монтаж SMD
- Комплектація: набір із 30 транзисторів
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 40 А. У імпульсному режимі допустимий струм також становить 40 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 62,5 Вт.
Опір та заряд затвора
Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 16,8 мОм. Заряд затвора дорівнює 56 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Транзистор є уніполярним. Технологія виготовлення — EETMOS3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 62.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | FB (TO252AA) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | EETMOS3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴