Транзистор N-MOSFET Shindengen P32F12SN-5600, 120В, 32А, корпус FTO-220AG (набір 20 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM036492
Транзистор N-MOSFET Shindengen P32F12SN-5600, 120В, 32А, корпус FTO-220AG (набір 20 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів Shindengen P32F12SN-5600 типу N-MOSFET у корпусі FTO-220AG (SC91). Призначені для монтажу на плату (THT) та роботи з напругою до 120 В і струмом до 32 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 120 В
- Постійний струм стоку: 32 А (імпульсний: 128 А)
- Розсіювана потужність: 44 Вт
- Опір у відкритому стані: 15,5 мОм
- Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
- Технологія: EETMOS3
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри та напруга
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком і витоком становить 120 В, а постійний струм стоку — 32 А. У імпульсному режимі струм може досягати 128 А. Напруга на затворі обмежена ±20 В.
Потужність та опір у відкритому стані
Розсіювана потужність транзистора дорівнює 44 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 15,5 мОм. Заряд затвора — 92 нКл.
Технологія EETMOS3 та монтаж
Виріб виготовлений за технологією EETMOS3. Корпус FTO-220AG (SC91) призначений для вивідного монтажу (THT) на друковану плату.## Комплектація набору
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 44 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 32 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | FTO-220AG (SC91) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | EETMOS3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴