Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P12F60HP2-5600, 600V, 12A, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P12F60HP2-5600 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із технологією Hi-PotMOS2. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі FTO-220AG (SC91) для монтажу на друковану плату (THT).

• Напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 12 А та імпульсний струм 48 А
• Технологія Hi-PotMOS2 з опором провідності 670 мОм
• Корпус FTO-220AG (SC91) для монтажу THT
• Комплект із 30 транзисторів
• Розсіювана потужність 90 Вт

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 12 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних ланцюгах, де потрібна надійна ізоляція та стабільна робота під навантаженням. Імпульсний струм дрена може сягати 48 А, що забезпечує запас міцності при короткочасних пікових навантаженнях.

Ефективна технологія Hi-PotMOS2

Використання технології Hi-PotMOS2 від SHINDENGEN забезпечує низький опір у стані провідності 670 мОм. Це зменшує теплові втрати на компоненті та підвищує загальний ККД пристрою. Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт, що вимагає належного відведення тепла при проєктуванні системи охолодження.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі FTO-220AG (SC91) з виводами для монтажу на поверхні друкованої плати (THT). Таке виконання спрощує процес пайки та забезпечує механічну міцність з'єднання. Пакетна поставка з 30 транзисторів є вигідним рішенням для серійного виробництва або ремонту обладнання, що використовує ці компоненти.

Керування та параметри затвора

Напруга затвор-джерело обмежена рівнем ±30 В. Заряд затвора становить 26,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Транзистор має збагачуваний канал.