Транзистор N-MOSFET Shindengen P10F60HP2-5600, 600В, 10А, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (20 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM076336
Транзистор N-MOSFET Shindengen P10F60HP2-5600, 600В, 10А, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (20 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Shindengen P10F60HP2-5600 — це напівпровідниковий прилад з технологією Hi-PotMOS2, призначений для роботи в електричних ланцюгах із напругою до 600 В. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі FTO-220AG (SC91) з монтажем THT.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагаченого типу
- Напруга стік-виток: 600 В
- Струм стоку: 10 А (постійний), 40 А (імпульсний)
- Потужність розсіювання: 85 Вт
- Опір у стані провідності: 0,8 Ом
- Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
- Технологія: Hi-PotMOS2
- Комплектація: 20 шт.
Потужність розсіювання становить 85 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,8 Ом, а загальний заряд затвора (Qg) — 23 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | FTO-220AG (SC91) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | Hi-PotMOS2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴