
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071, 600В, 0,5А, SMD, 40 шт.
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM076333
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стоку: 0,5 А (постійний), 2 А (імпульсний)
- Корпус: FB (TO252AA), монтаж SMD
- Технологія: Hi-PotMOS2
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Високовольтна робота
Транзистор працює при напрузі стік-витік до 600 В, що дозволяє використовувати його у високовольтних схемах. Напруга затвор-витік становить ±30 В. Постійний струм стоку — 0,5 А, імпульсний — до 2 А.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність компонента — 35 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 10 Ом, а заряд затвора — 4,3 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія Hi-PotMOS2. У пакуванні міститься 40 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | FB (TO252AA) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | Hi-PotMOS2 |
- Ціна: 2 230 ₴
