Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071, 600В, 0,5А, SMD, 40 шт.

2 230 ₴

  • В наявності
  • Код: TM076333
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071, 600В, 0,5А, SMD, 40 шт.
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071, 600В, 0,5А, SMD, 40 шт.В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD).

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Напруга стік-витік: 600 В
  • Струм стоку: 0,5 А (постійний), 2 А (імпульсний)
  • Корпус: FB (TO252AA), монтаж SMD
  • Технологія: Hi-PotMOS2
  • Кількість у комплекті: 40 шт.

Високовольтна робота

Транзистор працює при напрузі стік-витік до 600 В, що дозволяє використовувати його у високовольтних схемах. Напруга затвор-витік становить ±30 В. Постійний струм стоку — 0,5 А, імпульсний — до 2 А.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність компонента — 35 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 10 Ом, а заряд затвора — 4,3 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія Hi-PotMOS2. У пакуванні міститься 40 транзисторів.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання35 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку0.5 А
Опір у відкритому стані (Rds)10000 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусFB (TO252AA)
ВиробникSHINDENGEN
ТехнологіяHi-PotMOS2
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 230 ₴