Транзистор P-MOSFET Nexperia NXV65UPR, SOT23, -20В, -1,3А (комплект 70 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM076269
Транзистор P-MOSFET Nexperia NXV65UPR — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23 (TO236AB). Комплект складається з 70 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Технологія: Trench
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -1,3 А (постійний), -8,4 А (імпульсний)
- Опір у відкритому стані: 0,15 Ом
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Комплект: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -20 В та постійним струмом дрена -1,3 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -8,4 А. Опір у відкритому стані становить 0,15 Ом, що забезпечує ефективне перемикання. Напруга затвор-джерело обмежена ±8 В.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 0,34 Вт. Заряд затвора становить 5,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Компактний корпус SOT23 (TO236AB) призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує розміщення компонента на друкованій платі.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.34 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 2 120 ₴