
Транзистор N-MOSFET Nexperia NX3020NAKW,115, 30V, 0,11A, SOT323 (NX3020NAKW.115) — набір 300 шт.
2 660 ₴
- В наявності
- Код: TM019980
Транзистор N-MOSFET Nexperia NX3020NAKW,115 — це уніполярний компонент для електронних схем із напругою 30 В та струмом 0,11 А. Пакет містить 300 штук у корпусі SOT323, що забезпечує зручний монтаж на друковані плати.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 0,11 А
- Потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Корпус: SC70, SOT323 (SMD)
- Кількість у комплекті: 300 шт.
Ключові електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 30 В та витримує струм дрена 0,11 А. Потужність розсіювання становить 0,3 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із невеликим навантаженням. Опір у стані провідності дорівнює 9,2 Ом, що мінімізує втрати енергії при відкритому каналі. Напруга затвора може досягати ±20 В, що забезпечує гнучкість у керуванні.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SC70, SOT323, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат корпусу економить місце на платі та спрощує автоматизоване виробництво. Уніполярна структура та збагачуваний канал забезпечують стабільну роботу в ключових режимах.
Комплектація та швидкість перемикання
У пакеті постачається 300 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання. Заряд затвора становить 0,44 нКл, що впливає на швидкість перемикання схеми.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 300 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 2 660 ₴
