Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVTJD4001NT1G, SMD, 30V, 0,18A, 50 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM076258
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVTJD4001NT1G, SMD, 30V, 0,18A, 50 шт.В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVTJD4001NT1G — це уніполярний компонент з двома каналами, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 50 одиниць у корпусі SC70-6 (SOT363).
- Тип: N-MOSFET x2 (подвійний транзистор)
- Напруга стік-джерело: 30 В
- Струм стоку: 0,18 А
- Потужність розсіювання: 0,272 Вт
- Корпус: SC70-6 / SOT363 (SMD)
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-джерело 30 В та максимальний струм стоку 0,18 А. Потужність розсіювання становить 0,272 Вт, а опір у відкритому стані — 1,5 Ом. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC70-6, також відомому як SC88 або SOT363. Тип монтажу — SMD.
Комплектація
У пакуванні міститься 50 транзисторів. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.272 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴