Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLTAG, WDFN8, -60В, -10А (комплект 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLTAG у корпусі WDFN8 призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: -60 В
• Струм стоку: -10 А
• Потужність розсіювання: 1,6 Вт
• Корпус: WDFN8, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 52 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-витік -60 В та струм стоку -10 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт, а опір у відкритому стані — 52 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що вимагає дотримання режимів керування.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі WDFN8, який забезпечує компактні розміри та ефективне відведення тепла. Монтаж здійснюється методом SMD, що підходить для автоматизованих ліній збирання електронних плат.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів ONSEMI NVTFS5116PLTAG.