Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVR4501NT1G, 20В, 2,4А, SOT23, набір 30 шт.

Набір із 30 транзисторів ONSEMI NVR4501NT1G типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з напругою до 20 В і струмом до 2,4 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-виток: 20 В
• Струм стоку: 2,4 А (у імпульсі до 10 А)
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 0,105 Ом
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 20 В, а постійний струм стоку — 2,4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 10 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,105 Ом, що забезпечує ефективне проходження струму.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його в пристроях з обмеженим простором. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат.

Потужність розсіювання та керування затвором

Максимальна потужність розсіювання становить 1,25 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Заряд затвора дорівнює 6 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Максимальна напруга між затвором та витоком — ±12 В, що важливо враховувати при виборі драйвера керування.