Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS6H800NLT1G, 80В, 224А, DFN5, комплект 10 шт.
3 570 ₴
- В наявності
- Код: TM019978
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS6H800NLT1G, 80В, 224А, DFN5, комплект 10 шт.В наявності
3 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS6H800NLT1G — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Пристрій розрахований на напругу 80 В та постійний струм 224 А. Пакет містить 10 одиниць товару в корпусі DFN5 для поверхневого монтажу.
- Струм стоку 224 А для потужних навантажень
- Імпульсний струм до 900 А
- Низький опір відкритого каналу 1,9 мОм
- Потужність розсіювання 107 Вт
- Корпус DFN5 для SMD-монтажу
- Комплект із 10 транзисторів
Параметри струму
Транзистор витримує постійний струм стоку 224 А, що дозволяє використовувати його в потужних навантаженнях. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 900 А.
Опір та потужність
Опір у відкритому стані становить 1,9 мОм. Потужність розсіювання — 107 Вт.
Корпус та комплектація
Компонент виконаний у корпусі DFN5 для технології поверхневого монтажу (SMD). Пакетна поставка включає 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 107 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 224 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DFN5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 570 ₴