Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS5C426NAFT1G, 40В, 235А, DFN5 (5 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM076256
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS5C426NAFT1G, 40В, 235А, DFN5 (5 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS5C426NAFT1G — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі DFN5 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 одиниць.
- Напруга стік-виток: 40 В
- Постійний струм стіка: 235 А
- Імпульсний струм: 900 А
- Розсіювана потужність: 64 Вт
- Опір у відкритому стані: 1,3 мОм
- Корпус: DFN5, монтаж SMD
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-виток 40 В та постійний струм стіка 235 А. Імпульсний струм може досягати 900 А, а розсіювана потужність становить 64 Вт. Опір у відкритому стані — 1,3 мОм.
Тип транзистора та канал
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Напруга затвор-виток становить ±20 В, а заряд затвора — 65 нКл. ## Корпус та монтаж
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 64 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 235 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | DFN5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴