Транзистор ONSEMI NVMFS5113PLT1G, P-MOSFET, -60В, -45А, DFN5x6, 10 шт.
3 180 ₴
- В наявності
- Код: TM019977
Транзистор ONSEMI NVMFS5113PLT1G, P-MOSFET, -60В, -45А, DFN5x6, 10 шт.В наявності
3 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор ONSEMI NVMFS5113PLT1G у корпусі DFN5x6. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 75 Вт та опір у відкритому стані 14 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 75 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 14 мОм
- Корпус: DFN5x6
- Тип монтажу: поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом p-типу. Максимальна потужність розсіювання становить 75 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 14 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DFN5x6. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Полярність транзистора — уніполярна.
Комплектація
У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DFN5x6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 180 ₴