Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVMFS5113PLT1G, -60В, -45А, DFN5x6 (10 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVMFS5113PLT1G — це уніполярний компонент для електронних схем із напругою -60 В та струмом -45 А. Пакет містить 10 штук у корпусі DFN5x6, що забезпечує зручність для SMD-монтажу.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: -60 В
• Максимальний струм стоку: -45 А
• Розсіювана потужність: 75 Вт
• Опір у відкритому стані: 14 мОм
• Корпус: DFN5x6, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Ефективне розсіювання тепла

Компонент здатний розсіювати потужність до 75 Вт, що забезпечує стабільну роботу під значними навантаженнями. Максимальний струм стоку -45 А дозволяє керувати потужними навантаженнями без ризику перевантаження. Низький опір у відкритому стані 14 мОм зменшує теплові втрати, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Стабільність у силових ланцюгах

Максимальна напруга стік-витік -60 В гарантує надійну ізоляцію та роботу в мережах із підвищеною напругою. Дозволена напруга затвор-витік ±20 В спрощує підбір драйверів керування. Збагачуваний тип каналу забезпечує чітке перемикання між станами відкрито та закрито, що критично для імпульсних джерел живлення.

Компактний корпус DFN5x6

Компонент виконаний у корпусі DFN5x6, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат корпусу економить місце на друкованій платі та забезпечує добру теплопередачу. Пакет із 10 штук зручний для прототипування або невеликих серійних виробництв. Компактні розміри корпусу дозволяють щільно розміщувати компоненти на платі, що важливо для мініатюрних пристроїв.