Транзистор ONSEMI NVJD5121NT1G, N-MOSFET x2, 60В, 0,212А, SMD, 70 шт.
2 130 ₴
- В наявності
- Код: TM076255
Транзистор ONSEMI NVJD5121NT1G, N-MOSFET x2, 60В, 0,212А, SMD, 70 шт.В наявності
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI NVJD5121NT1G — це набір із 70 штук N-MOSFET транзисторів у корпусі SMD. Призначений для монтажу на поверхню плати, працює з напругою до 60 В та струмом до 0,212 А.
- Тип: N-MOSFET x2 (подвійний транзистор)
- Максимальна напруга сток-виток: 60 В
- Максимальний струм стоку: 0,212 А
- Потужність розсіювання: 0,25 Вт
- Корпус: SC70-6, SC88, SOT363 (SMD)
- Кількість у наборі: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з подвійною структурою (x2). Максимальна напруга між стоком та витоком становить 60 В, а максимальний струм стоку — 0,212 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,25 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 1,6 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC70-6, SC88 або SOT363, що відповідає стандарту SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
У комплекті постачається 70 штук транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.212 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴