P-канальний польовий транзистор ONSEMI NVF2955T1G у корпусі SOT223. Це набір із 20 одиниць для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: Польовий
- Тип монтажу: Поверхневий
- Корпус: SOT223
- Максимальна потужність розсіювання: 2,3 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 154 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу P. Максимальна потужність розсіювання становить 2,3 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 154 мОм.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів. Корпус компонентів — SOT223.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 154 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 830 ₴

