
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVF2955T1G, SOT223, -60В, -2,6А, комплект 20 шт.
2 830 ₴
- В наявності
- Код: TM036449
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 транзисторів ONSEMI NVF2955T1G типу P-MOSFET у корпусі SOT223. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях, що потребують керування струмом до -2,6 А при напрузі -60 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стоку: -2,6 А
- Потужність розсіювання: 2,3 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 154 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з напругою стік-витік -60 В та струмом стоку -2,6 А. Потужність розсіювання становить 2,3 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із середнім навантаженням. Опір у відкритому стані дорівнює 154 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT223, який є популярним для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів. Символ виробника NVF2955T1G. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 14,3 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 154 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 830 ₴
