Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVF2955T1G, SOT223, -60В, -2,6А, комплект 20 шт.

2 830 ₴

  • В наявності
  • Код: TM036449
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVF2955T1G, SOT223, -60В, -2,6А, комплект 20 шт.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVF2955T1G, SOT223, -60В, -2,6А, комплект 20 шт.В наявності
2 830 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 20 транзисторів ONSEMI NVF2955T1G типу P-MOSFET у корпусі SOT223. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях, що потребують керування струмом до -2,6 А при напрузі -60 В.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
  • Напруга стік-витік: -60 В
  • Струм стоку: -2,6 А
  • Потужність розсіювання: 2,3 Вт
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Опір у відкритому стані: 154 мОм
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним P-MOSFET з напругою стік-витік -60 В та струмом стоку -2,6 А. Потужність розсіювання становить 2,3 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із середнім навантаженням. Опір у відкритому стані дорівнює 154 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT223, який є популярним для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів. Символ виробника NVF2955T1G. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 14,3 нКл.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання2.3 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)154 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусSOT223
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 830 ₴