Транзистор ONSEMI NTZD3152PT1G, P-MOSFET x2, SOT563, комплект 60 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM076245
Транзистор ONSEMI NTZD3152PT1G, P-MOSFET x2, SOT563, комплект 60 шт.В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 60 транзисторів ONSEMI NTZD3152PT1G типу P-MOSFET x2 у корпусі SOT563. Призначений для SMD-монтажу в електронних схемах із напругою до -20 В та струмом до -0,43 А.
- Комплект із 60 транзисторів
- Тип: P-MOSFET x2 (подвійний)
- Корпус SOT563 для SMD-монтажу
- Напруга стік-виток: -20 В
- Струм стоку: -430 мА
- Розсіювана потужність: 0,25 Вт
Технічні характеристики
Транзистор є подвійним P-канальним MOSFET збагаченого типу. Максимальна напруга між стоком та витоком становить -20 В, а максимальний струм стоку — -430 мА. Опір у стані провідності дорівнює 2 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT563. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 0,25 Вт.
Параметри керування
Напруга між затвором та витоком обмежена значенням ±6 В. Заряд затвора становить 1,7 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 6 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT563 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴