Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4101PT1G, SOT323, комплект 60 шт.
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM076244
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4101PT1G, SOT323, комплект 60 шт.В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 60 транзисторів ONSEMI NTS4101PT1G типу P-MOSFET у корпусі SOT323. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних схемах із напругою до -20 В та струмом до -0,62 А.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Напруга стік-виток: -20 В
- Струм стоку: -0,62 А
- Потужність розсіювання: 0,329 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,16 Ом
- Заряд затвора: 6,4 нКл
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Тип та канал керування
Компонент є уніполярним P-MOSFET із збагачуваним каналом.
Напруга та струм
Максимальна напруга між стоком та витоком становить -20 В, а постійний струм стоку — -0,62 А. Допустима напруга на затворі обмежена значенням ±8 В.
Опір та заряд затвора
Опір у відкритому стані дорівнює 0,16 Ом. Загальний заряд затвора становить 6,4 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.329 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴