Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTS4001NT1G, 30V, 0,2A, SOT323 (80 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM076243
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTS4001NT1G, 30V, 0,2A, SOT323 (80 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTS4001NT1G — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 80 штук у корпусі SC70/SOT323.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 0,2 А
- Потужність розсіювання: 0,33 Вт
- Корпус: SC70, SOT323 (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 80 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та витримує струм дрена 0,2 А. Потужність розсіювання становить 0,33 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 1,5 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SC70 (SOT323). Тип монтажу SMD (поверхневий).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴