Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR5105PT1G, SOT23, -60В, -0,141А (300 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM036443
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR5105PT1G, SOT23, -60В, -0,141А (300 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR5105PT1G — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 300 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напруга дрена-джерела: -60 В
- Струм дрена: -0,141 А
- Розсіювана потужність: 0,347 Вт
- Опір у стані провідності: 5 Ом
- Кількість у комплекті: 300 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним P-MOSFET із каналом збагаченого типу. Максимальна напруга дрена-джерела становить -60 В, а напруга затвор-джерело — ±20 В. Струм дрена дорівнює -0,141 А, розсіювана потужність — 0,347 Вт. Опір у стані провідності становить 5 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.347 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 300 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴