P-канальний польовий транзистор ONSEMI NTR4502PT1G у корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із навантаженням до 1,25 Вт.
- Тип: P-MOSFET, збагачуваний канал
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-витік: -30 В
- Струм стоку: -1,56 А
- Розсіювана потужність: 1,25 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,35 Ом
- Заряд затвора: 6 нКл
- Кількість у наборі: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -30 В та струм стоку -1,56 А. Опір у відкритому стані становить 0,35 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається набором із 50 транзисторів. Полярність транзистора — уніполярна, а тип каналу — збагачуваний. Заряд затвора становить 6 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴

