Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR4170NT1G, 30 В, 1,7 А, SOT23, набір 50 шт.
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM036442
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR4170NT1G, 30 В, 1,7 А, SOT23, набір 50 шт.В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 50 транзисторів N-MOSFET від виробника ONSEMI, модель NTR4170NT1G. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Основні параметри: напруга дренаж-джерело 30 В, струм дренажу 1,7 А та розсіювана потужність 0,48 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дренаж-джерело: 30 В
- Струм дренажу: 1,7 А
- Розсіювана потужність: 0,48 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між дренажем і джерелом становить 30 В, а допустимий струм дренажу — 1,7 А. Опір у стані провідності дорівнює 55 мОм. Напруга на затворі відносно джерела може змінюватися в межах ±12 В.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Розсіювана потужність становить 0,48 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.48 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴