Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR2101PT1G, SOT23, -8В, -3А (набір 50 шт.)

P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI NTR2101PT1G у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Прилад розрахований на струм до -3 А та напругу -8 В.

• Тип: P-MOSFET, канал збагаченого типу
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Струм стоку: -3 А
• Напруга стік-виток: -8 В
• Потужність розсіювання: 0,96 Вт
• Опір у відкритому стані: 52 мОм
• Кількість у наборі: 50 шт.

Електричні параметри

Транзистор має канал збагаченого типу та полярність P-MOSFET. Максимальна напруга між стоком і витоком становить -8 В, а максимальний струм стоку — -3 А. Напруга затвор-виток обмежена ±8 В, що визначає допустимі режими керування.

Потужність та опір

Розсіювана потужність дорівнює 0,96 Вт, що відповідає можливостям корпусу SOT23. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 52 мОм, що впливає на теплові втрати при проходженні струму.

Монтаж та комплектація

Компонент призначений для SMD-монтажу на друковані плати. У комплекті постачається 50 одиниць транзисторів.