Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02T1G, SOT23, -20В, -1А, комплект 60 шт.
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM076237
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02T1G, SOT23, -20В, -1А, комплект 60 шт.В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 60 транзисторів ONSEMI NTR1P02T1G типу P-MOSFET у корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних схемах із напругою до -20 В та струмом до -1 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга: -20 В
- Максимальний струм: -1 А
- Потужність розсіювання: 0,4 Вт
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним P-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить -20 В, а максимальний струм витоку — -1 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,4 Вт. Напруга між затвором та витоком може змінюватися в межах ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Опір у стані провідності становить 0,18 Ом.
Комплектація
Упаковка містить 60 одиниць транзисторів ONSEMI NTR1P02T1G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴