Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02LT1G, SOT23, -20В, -1,3А (набір 60 шт.)
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM036441
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02LT1G, SOT23, -20В, -1,3А (набір 60 шт.)В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI NTR1P02LT1G — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Товар постачається набором із 60 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Максимальна напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -1,3 А
- Розсіювана потужність: 0,4 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,22 Ом
- Набір із 60 одиниць
Електричні параметри
Пристрій має максимальну напругу стік-витік -20 В та струм стоку -1,3 А. Опір у відкритому стані становить 0,22 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±12 В, а розсіювана потужність — 0,4 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його в пристроях з обмеженим простором на платі. Тип монтажу SMD (поверхневий).
Заряд затвора та напруга керування
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 220 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴