Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTP165N65S3H, 650В, 19А, TO220-3 (5 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM036440
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTP165N65S3H, 650В, 19А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTP165N65S3H — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення.## Параметри затвора
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-виток: 650 В
- Струм стоку: 19 А (імпульсний 53 А)
- Розсіювана потужність: 142 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Напруга та струм
Транзистор має номінальний струм стоку 19 А та імпульсний струм 53 А. Опір у відкритому стані становить 0,165 Ом, а максимальна розсіювана потужність — 142 Вт. Максимальна напруга затвор-виток становить ±30 В, а заряд затвора дорівнює 35 нКл.
Опір та потужність
Прилад виконаний у корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється методом встановлення в отвори (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 142 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 19 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 165 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴