Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTMFS5C670NLT1G, 60В, 50А, DFN5x6 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTMFS5C670NLT1G — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму до 50 А при напрузі 60 В. Комплект із 30 штук у корпусі DFN5x6 забезпечує зручність для масового монтажу на друкованих платах.

• Струм стоку 50 А та імпульсний струм 440 А
• Напруга стік-витік 60 В
• Опір у відкритому стані 8,8 мОм
• Корпус DFN5x6 для SMD-монтажу
• Комплект із 30 транзисторів

Висока струмова навантаженість та напруга

Прилад витримує постійний струм стоку 50 А та імпульсний струм до 440 А при напрузі стік-витік 60 В. Це дозволяє використовувати транзистор у силових ланцюгах із високими піковими навантаженнями та забезпечує надійність при різких стрибках струму.

Низькі втрати та керування затвором

Опір у відкритому стані 8,8 мОм та потужність розсіювання 1,8 Вт мінімізують нагрівання компонента. Заряд затвора 20 нК та допустима напруга затвор-витік ±20 В спрощують вибір драйвера та забезпечують швидке перемикання.

Зручний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі DFN5x6 для поверхневого монтажу (SMD). Це спрощує автоматизацію процесу пайки та економить місце на платі, що є критичним для компактних електронних пристроїв.

Тип транзистора та каналу