Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTJS4151PT1G, 1 Вт, комплект 40 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM076233
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTJS4151PT1G, 1 Вт, комплект 40 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTJS4151PT1G — це уніполярний компонент для електронних схем. У комплекті 40 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Максимальна потужність розсіювання: 1 Вт
- Корпус: SC70-6 (SC88, SOT363)
- Тип монтажу: SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Потужність та корпус
Максимальна потужність розсіювання становить 1 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Транзистор виконаний у корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363), який забезпечує компактність вузла. Монтаж здійснюється технологією SMD (поверхневий монтаж).
Комплектність
У пакуванні міститься 40 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴