Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJS3157NT1G, 20 В, 2,3 А, SMD (набір 150 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM076232
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJS3157NT1G, 20 В, 2,3 А, SMD (набір 150 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJS3157NT1G — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається у комплекті зі 150 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 20 В
- Струм стіка: 2,3 А
- Розсіювана потужність: 1 Вт
- Опір у відкритому стані: 60 мОм
- Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 150 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 20 В та струм стіка 2,3 А. Опір у відкритому стані становить 60 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1 Вт, а допустима напруга затвор-джерело — ±8 В.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363). Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴