Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD5121NT1G, 60В, 0,295А, SMD, набір 80 шт.
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM076231
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD5121NT1G, 60В, 0,295А, SMD, набір 80 шт.В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 80 транзисторів ONSEMI NTJD5121NT1G — це подвійні N-MOSFET транзистори з каналом збагачення, призначені для поверхневого монтажу (SMD). Компоненти мають напругу стік-витік 60 В та струм 0,295 А.
- Подвійний N-MOSFET транзистор з каналом збагачення
- Напруга стік-витік 60 В, струм стіка 0,295 А
- Потужність розсіювання 0,25 Вт, опір у відкритому стані 2,5 Ом
- Корпус SC70-6 / SC88 / SOT363 для SMD монтажу
- Наявність ESD захисту
- Набір із 80 транзисторів
Електричні параметри
Транзистори працюють із напругою стік-витік (VDS) до 60 В та витримують напругу затвор-витік (VGS) ±20 В. Максимальний струм стіка становить 0,295 А, а потужність розсіювання обмежена 0,25 Вт. Опір у відкритому стані (RDS(on)) дорівнює 2,5 Ом, а заряд затвора — 0,9 нКл.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363). Монтаж здійснюється методом SMD (Surface Mount Device). Транзистори є уніполярними з каналом збагачення (enhancement mode).
Захист та комплектація
Транзистори мають версію ESD. Товар поставляється набором із 80 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.295 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴