Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4401NT1G, 20В, 0,46А, SOT363 (50 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4401NT1G — це уніполярний компонент з двома каналами, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 50 одиниць у корпусі SC70-6 (SOT363) з захистом від електростатичного розряду (ESD).

• Два N-MOSFET транзистори в одному корпусі
• Максимальна напруга дрена-джерела 20 В
• Струм дрена 0,46 А
• Потужність розсіювання 0,27 Вт
• Опір у стані провідності 445 мОм
• Комплект з 50 штук
• Корпус SOT363 (SC70-6) для SMD монтажу

Електричні параметри та потужність

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 20 В та витримує струм дрена 0,46 А. Потужність розсіювання становить 0,27 Вт, що обмежує теплове навантаження на компонент. Опір у стані провідності дорівнює 445 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363). Тип монтажу — SMD. Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичних розрядів.

Керування та заряд затвора Напруга затвор-джерело обмежена ±12 В, що визначає допустимі межі керуючого сигналу. Заряд затвора становить 1,3 нКл. Поляризація транзистора є уніполярною, а тип каналу — збагачуваний (enhancement mode), що означає відсутність струму дрена при нульовій напрузі затвора.