Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4001NT1G, 30V, 0,18A, SMD (набір 60 шт.)
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM076229
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4001NT1G, 30V, 0,18A, SMD (набір 60 шт.)В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4001NT1G — це подвійний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 60 одиниць.
- Подвійний N-MOSFET транзистор з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стіка: 0,18 А
- Розсіювана потужність: 0,272 Вт
- Опір у відкритому стані: 1,5 Ом
- Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363 (SMD монтаж)
- Комплектація: 60 шт.
Тип транзистора та канал
Компонент є подвійним N-MOSFET транзистором з каналом збагачення. Полярність транзистора — уніполярна.
Електричні характеристики
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Струм стіка дорівнює 0,18 А. Опір у відкритому стані (Rds(on)) — 1,5 Ом. Компонент виконаний у корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363) для монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.272 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴