Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTHL041N60S5H, 600В, 36А, TO247 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTHL041N60S5H — це силовий напівпровідниковий прилад для високовольтних застосувань. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі TO247, що забезпечує зручність для серійного монтажу та заміни компонентів у електронних пристроях.

• Напруга дрена-джерела: 600В
• Постійний струм дрена: 36А
• Імпульсний струм дрена: 200А
• Розсіювана потужність: 329Вт
• Опір у стані провідності: 32,8мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600В та постійний струм дрена 36А. Це дозволяє використовувати компонент у потужних імпульсних джерелах живлення та інверторах, де важлива стабільність роботи під високим навантаженням.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 329Вт, а опір у стані провідності — 32,8мОм. Низький опір зменшує втрати енергії та нагрівання компонента, що підвищує загальний ККД пристрою та дозволяє зменшити розміри радіаторів.

Імпульсна стійкість та монтаж

Транзистор витримує імпульсний струм дрена до 200А, що захищає від пікових навантажень. Компонент виконаний у корпусі TO247 з монтажем THT, що забезпечує надійний механічний контакт на друкованій платі.

Керування та заряд затвора

Компонент виконаний у корпусі TO247 з технологією монтажу THT (скрізний монтаж). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт, необхідний для силових елементів.