Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N65S3F, 650В, 45А, корпус TO247

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N65S3F — це напівпровідниковий прилад з каналом n-типу та збагачуваним типом керування. Характеризується напругою до 650 В та струмом до 45 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга сток-виток: 650 В
• Номінальний струм стоку: 45 А, імпульсний: 162,5 А
• Розсіювана потужність: 446 Вт
• Опір у відкритому стані: 32 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT

Висока напруга та струм

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 650 В. Номінальний постійний струм стоку становить 45 А, а імпульсний струм може досягати 162,5 А.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 446 Вт. Опір у відкритому стані становить 32 мОм. Корпус TO247 з монтажем THT (через отвори).

Параметри керування

Напруга затвор-виток обмежена діапазоном ±30 В. Загальний заряд затвора дорівнює 158 нКл. Прилад є уніполярним.